钒氧阴离子团簇与小分子碳氢化合物反应的实验和理论研究

为了在分子层次上揭示相关催化反应的机理, 人们对过渡金属氧化物团簇与碳氢化合物分子反应进行了大量研究. 相比于过渡金属氧化物团簇阳离子, 阴离子对一些碳氢化合物的活性弱得多, 因此研究还很少. 在本工作中, 我们通过激光溅射产生钒氧团簇阴离子VxOy, 产生的团簇在接近热碰撞条件下与烷烃(C2H6和C4H10)以及烯烃(C2H4和C3H6) 在一个快速流动反应管中进行反应, 飞行时间质谱用来检测反应前后的团簇分布. 在VxOy与烷烃的反应中, 生成了产物V2O6H-和V4O11H-; 在与烯烃的反应中, 产生了相应的吸附产物V4O11X-(X=C2H4或C3H6). 密度泛函理论计算表明: V2O-6和V4O-11可以活化烷烃(C2H6和C4H10)的C—H键, 也可以与烯烃(C2H4和C3H6)发生3+2环化加成反应形成一个五元环结构(-V-O-C-C-O-), C—H键活化与环加成反应都需经历可以克服的反应能垒. 理论计算与实验观测结果相符合. V2O-6和V4O-11团簇都具有氧原子自由基(O·或O-)的成键特征, 活性O-物种也经常出现在钒氧催化剂表面, 因而本研究在分子水平上, 揭示了表面活性氧物种与碳氢化合物反应的机理.     

二苯并-18-冠-6与碱金属苦味酸盐在氯仿中的相互作用

研究一种方法以测定二苯并-18-冠-6在氯仿中与碱金属苦味酸盐相互作用的若干参数。这些参数是:络合物的无限稀释摩尔电导 A_0,络合物的解离常数 K_d(或 k_d),络合物中冠醚与盐的分子比,冠醚对苦味酸盐的络合常数 K_c(或 k_c),以及冠醚存在下苦味酸盐紧密离子对的饱和浓度[MA]等。     

水溶性卟啉在分析中的应用 Ⅲ.meso-四-(对-磺基苯)卟啉(TPPS_4)与钯反应的分光光度研究

水溶性卟啉与很多过渡金属离子的反应具有极高的灵敏度。青村和夫等研究了钯与TPPS_3的反应。同时石井研究了TPPS_4与钯的反应。为了制定高灵敏度的钯的光度法,我们进一步进行研究。实验部分 (一)试剂及仪器 TPPS_4溶液:10~(-4)M。钯标准溶液:称取钯片,溶于浓硝酸(加几滴浓盐酸)。稀释至一定浓度。应用     

多支链烷基苯磺酸钠水溶液的表面性质

用自制的四种高纯度多支链烷基苯磺酸钠,研究了支链结构对其表面性质的影响.结果表明,随支链烷基碳数增加,临界胶束浓度降低,标准吸附自由能DGadӨ更负;但是,饱和吸附量Γmax却随支链烷基碳数增加而减小,且临界胶束浓度时的表面张力γcmc随吸附量减小而降低,表现出与一般表面活性剂不同的变化趋势.从多支链烷基苯磺酸钠的分子结构特点,解释了随支链烷基碳数增加Γmax和γcmc的变化规律,探讨了分子的独占面积(as)对Γmax及γcmc的影响.     

饮料中糖精钠、苯甲酸、山梨酸的高效液相色谱快速测定

我国食品卫生标准规定,饮料中糖精钠的含量不得超过0.15g/kg, 苯甲酸、山梨酸不得超过0.2g/kg。采用高效液相色谱法,饮料经过滤,用10～12分钟能同时测定这三种成分。本法回收率为97～110％,标准偏差0.29,变异系数0.038.含量在0.1～20μg范围内,线性关系良好。 1.仪器与试剂:美国Waters246型高效液相色谱仪,441型紫外检测器,检测波长254mm。甲醇:分析纯,重蒸;0.02M醋酸铵溶液;0.1mg/ml糖精钠,苯甲酸,山梨酸混合标准液0.1mg/ml糖精钠,苯甲酸和0.05mg/ml山梨酸混合标准液。以上溶液均用重蒸水配制。 2.实验条件:Mbondapak C~T_84×300mm不锈钢色谱柱,流动相,甲醇/0.02M醋酸铵(35/65),1ml/min,纸速0.5m/min。 3.方法与结果: (1)标准曲线法:首先分别测出糖精钠,苯     

变价稀土元素L,M,N内壳层电子束缚能量的变化

变价稀土元素的4f电子占有数可以随不同的温度、压力或者组成(为化合物时)而作“连续”或不连续的变化,对于不同的4f电子占有数,其内壳层电子的束缚能量也将有所不同,本文应用相对论性原子自洽场理论计算由“变价”而引起的束缚能移动。 关键词：     

手性2-氨基-1-苯基乙醇类化合物的不对称合成研究进展

对近年来手性2-氨基-1-苯基乙醇类药物的不对称合成方法进行了总结和概述. 重点介绍了不对称氢化、CBS还原、不对称Henry反应等新方法在2-氨基-1-苯基乙醇类药物如R-沙丁胺醇、R-沙美特罗和D-索他洛尔等合成中的应用.     

希土与三甘醇—二(2, 2''—乙酰丙酮—4, 4''—甲基)苯基醚配合物的研究

以合成的一种新化合物三甘醇－二（２，２＇－乙酰丙酮－４，４＇－甲基）苯基醚作配体，在无水甲醇中合成了七种希土氯化物的配合物，确定其组成是ＬｎＬＣｌ（Ｌｎ：Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ和Ｄｙ），Ｌ：三甘醇－二（２，２＇－乙酰丙酮－４，４＇－甲基）苯基醚。由ＩＲ，ＵＶ，ＴＧ－ＤＴＧ和display status     

High uniformity and forming-free ZnO-based transparent RRAM with HfO_x inserting layer

The impacts of HfO_x inserting layer thickness on the electrical properties of the ZnO-based transparent resistance random access memory(TRRAM) device were investigated in this paper. The bipolar resistive switching behavior of a single ZnO film and bilayer HfO_x/ZnO films as active layers for TRRAM devices was demonstrated. It was revealed that the bilayer TRRAM device with a 10-nm HfO_x inserted layer had a more stable resistive switching behavior than other devices including the single layer device, as well as being forming free, and the transmittance was more than 80% in the visible region. For the HfO_x/ZnO devices, the current conduction behavior was dominated by the space-charge-limited current mechanism in the low resistive state(LRS) and Schottky emission in the high resistive state(HRS), while the mechanism for single layer devices was controlled by ohmic conduction in the LRS and Poole–Frenkel emission in the HRS.